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Número de pieza(s) : 8N60
Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel Mosfet T ransistor
Número de pieza(s) : BD232
Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : Silicon NPN Power T ransistor
Número de pieza(s) : 2N5491
Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : Silicon NPN Power T ransistor
Número de pieza(s) : 2SA1048 A1048
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd
componentes Descripción : TO-92S Plastic-Encapsulate Transistors
Número de pieza(s) : SIHFP350LC
Inchange Semiconductor
Inchange Semiconductor
componentes Descripción : N-Channel Mosfet ransistor
Número de pieza(s) : IXZR16N60 IXZR16N60A IXZR16N60B
IXYS CORPORATION
IXYS CORPORATION
componentes Descripción : NChannel Enhancement Mode RF Mosfet
Número de pieza(s) : H12N65 H12N65E H12N65F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power Mosfet (650V,12A)
Número de pieza(s) : STS4DNFS30L 4DFS30L
STMicroelectronics
STMicroelectronics
componentes Descripción : N-channel 30 V, 0.044 Ω, 4 A SO-8 STripFET™ Mosfet plus SCHOTTKY rectifier (Rev - 2011)
Número de pieza(s) : FX853
SANYO -> Panasonic
SANYO -> Panasonic
componentes Descripción : MOSFET:N-Channel Silicon Mosfet SBD:Schottky Barrier Diode
Número de pieza(s) : BUZ31
Comset Semiconductors
Comset Semiconductors
componentes Descripción : POWER MOS TRANSISTORS
Número de pieza(s) : PAL007E
Pioneer Electronics
Pioneer Electronics
componentes Descripción : Car Audio Power Amplifier
Número de pieza(s) : H12N60 H12N60F
Hi-Sincerity Mocroelectronics
Hi-Sincerity Mocroelectronics
componentes Descripción : N-Channel Power Mosfet (600V,12A)
Unisonic Technologies
Unisonic Technologies
componentes Descripción : HIGH VOLTAGE ransistor (Rev - 2005)
Número de pieza(s) : IPC302N20N3
Infineon Technologies
Infineon Technologies
componentes Descripción : Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
Número de pieza(s) : MJD127
Samsung
Samsung
componentes Descripción : PNP SILICON DARLINGTON ransistor
Número de pieza(s) : TA8264AHQ
Toshiba
Toshiba
componentes Descripción : Max Power 41 W BTL ×4 ch Audio Power IC
International Rectifier
International Rectifier
componentes Descripción : HALF-BRIDGE DRIVER
Número de pieza(s) : FPF1013 FPF1014
Fairchild Semiconductor
Fairchild Semiconductor
componentes Descripción : IntelliMAX™ 1 V-Rated Advanced Load Management Products
Infineon Technologies
Infineon Technologies
componentes Descripción : 600V CoolMOS™ E6 PowerT ransistor (Rev - 2018)
Número de pieza(s) : SDM4953
Samhop Mircroelectronics
Samhop Mircroelectronics
componentes Descripción : Dual P-C hannel E nhancement Mode F ield E ffect T ransistor
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